【实测案例】对高压大功率驱动中的高压元件进

2020-06-20 01:18字体:
  

  商,扶助高达20000HP的驾御工业调换电机,输入电压高达13,800V。本案例将周密先容ASI公司的现场工程师正在其30众年职业生计中开采的方式。

  Fluke 1550C高压绝缘电阻测试仪或许敏捷确定大功率固态电源中非线性装配的质料微弱枢纽,如SCR (可控硅整流器半导体)和IGBT大功率器件。

  日常的固态元件测试仪采用低压、低电流测试源,日常无法定位损坏的元件,况且正在负载下或者会溃逃。

  · 正在测试正向偏压和反向偏压(阳极至阴极)时,假设可控硅整流器已损坏,读数会流露较大的不同。

  · 假设高功率可控硅整流器的读数低于5 MΩ,则透露已损坏,应当将其销毁。

  · 假设可控硅整流器正在一个偏向上的读数为50 MΩ至200 MΩ,正在另一个偏向上为10 MΩ至50 MΩ (不同到达4:1),很或者会正在带载时自锁(而不是正在预期触发点实时触发,将会随机触发)。这种境况会正在电源中惹起至极的电流脉冲,会酿成被供电的直流电机中爆发换向器闪络。

  1.将Fluke 1550C设备为装配的实质额定电压。480V VFD (变频驱动)上行使的大大都ASI 可控硅整流器的额定值为1400V。正在中压(2300V和4160V)驱动上也串联行使3000 V装配。

  ASI公司正在维修可控硅整流器电源时,其对象是最大水准低落挫折和停工时刻,而非将维修的零件本钱最小化。

  “古板上测试可控硅整流器时,假设没有齐全短道,则以为没有题目。这种假定是齐全舛错的。”

  任何装配正在到达其额定电压时,假设读数发扬为转移、震撼、不服稳,都应以为即将爆发挫折,并将其分开。读数不服稳透露内部电弧损坏,或者半导体自己锁死/导通。

  IGBT开闭装配也可能举办热试验,但因为负阻性子二极管的来因,只可正在一个偏向(正向)举办反省。也可能对高功率二极管举办热试验(对比低温和高温读数的转移)。日常而言,与可控硅整流器比拟(读数日常为200MΩ至700MΩ),二极管的电阻高得众、走电流小得众。

  假设可控硅整流器的读数正在两个偏向均为20MΩ,则没有题目;但假设一个偏向读数为80MΩ,而另一偏向为20MΩ,则透露即将失效。全新的可控硅整流器的读数日常正在两个偏向均为100MΩ至200MΩ,两个偏向的不同正在50%之内。

  通过正在按期行使1550C对元件举办预测性维持,现场工程师或许实时浮现有瑕疵的元件,制止其失效。防御早期挫折能为ASI公司和其客户节减时刻和金钱。

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